RIE-反应离子刻蚀系统
产品简介:
用于对Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4等硅膜以及GaAs等化合物半导体进行刻蚀,可得到刻蚀界面好、选择比高的良好效果。
产品特点:
Ø 材料间选择比高,刻蚀精度高;
Ø 电脑控制,全自动运转,工艺参数可保存;
Ø 可对应最大为8英寸的样品;
Ø 价格低廉,运转成本低;
Ø 高速排气;
Ø 体积小,占用空间少。
产品应用:
Ø 用于Si、SiO2、Poly-Si、Si3N4、GaAs、Mo等的高精度刻蚀;
Ø 用于超LSI工艺的高精度刻蚀;
Ø 用于缺陷分析。
技术参数:
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反应室 |
铝制,Ø 340mm |
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样品台 |
铝制,Ø 240mm,水冷方式 |
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RF电源 |
13.56MHz,300W,水晶震动,自动匹配 |
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排气系统 |
涡轮分子泵+旋转泵 自动控压器 |
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真空计 |
全域真空计(105 -5×10-7Pa) |
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薄膜真空计(2.66×102-2.66×10-2Pa) |
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气体导入系统 |
质量流量计(标准2系统) |
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操作系统 |
触屏方式 |
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尺寸 |
500(W)×920(D)×1510(H) mm |
可选配件:
Ø 气体管路的增设;
Ø 终点检测器;
Ø 泵油过滤器;
Ø 排气处理系统。
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