PECVD-等离子化学气相沉积设备

产品简介：

用于沉积硅质薄膜（SiO2、Si3N4、SiOxNy、a-Si:H）的化学气相沉积设备。具有性能高，体积小，重复性好等特点。它可以在直径220mm的范围内沉积厚度和折射率非常均匀的薄膜。电脑控制触屏式操作，可简单快捷地进行参数控制和菜单储存。适用于从研究开发到小批量生产的广泛领域。

产品特点：

Ø         体积小，占用无尘室空间少的，具有一次性处理3英寸的晶片5枚,4英寸的晶片3枚，8英寸的晶片1枚的处理能力；

Ø         均匀性好，成品率高；

Ø         全自动一键式操作，也可手动操作；

Ø         电脑控制触屏式操作,参数控制及菜单的输入储存简单方便；

Ø         设有互锁功能，以保证工艺过程中的的安全操作。

产品应用：

Ø         氧化硅薄膜的形成；

Ø         氮化硅薄膜的形成；

Ø         非晶硅膜的形成。

技术参数：

可选配件：

Ø         气体管路的增设；

Ø         排气处理系统；

Ø         涡轮分子泵。