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ICP-硅深刻蚀专用设备（Bosch工艺）
产品简介：
这是在放电形式上采用感应耦合方式（Inductively Coupled Plasma）,以MEMS领域的硅的深刻蚀为目的的高密度等离子刻蚀设备。本设备在采用我公司独创的Tornado ICP技术，导入德国Robert Bosch GmbH公司开发研制的Bosch 工艺，可进行硅的高速度高精度各向异性的深刻蚀。
产品特点：
螺旋型线圈电极(Tornado Coil Electrode)的使用，可高效生成稳定的高密度等离子，进而使高选择比、高精度、均一性好的刻蚀成为可能。侧壁保护膜的形成与刻蚀交互进行，可获得高选择比（50～200）。
产品应用：
Ø MEMS器件的制作
Ø 各种传感器的制作
Ø 三维封装过程中通路孔的形成
技术参数：
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反应室 |
铝制，Ø 440mm |
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样品台 |
SUS304制，Ø 208mm |
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ICP用RF电源 |
13.56MHz，1KW，水晶震动，自动匹配 |
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偏压RF电源 |
13.56MHz，300W，水晶震动，自动匹配 |
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Load-lock室 |
铝制，440×520mm |
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排气系统 |
反应室 |
涡轮分子泵+旋转泵 自动控压器 |
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LL室 |
旋转泵 |
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真空计 |
反应室 |
电离真空计（1.33×10～1.33×10－6Pa）
膜片式真空计（1.33～1.33×10－2Pa） |
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LL室 |
水晶真空计（大气压 ～10－2Pa） |
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气体导入系统 |
质量流量计（标准4系统） |
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尺寸 |
1000(W)×1375(D)×1670(H) mm |
可选配件：
Ø 气体管路的增设；
Ø 终点检测器；
Ø 泵油过滤器；
Ø 排气处理系统。
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