ICP-感应耦合等离子刻蚀设备
产品简介：
这是在放电形式上采用感应耦合方式（Inductively Coupled Plasma）的带Load-lock的刻蚀设备。
本设备采用独创的Tornado ICP技术，可高效生成稳定、高密度的等离子，进而实现对硅、各种金属薄膜以及化合物半导体等的高精度各向异性刻蚀。
产品特点：
Ø 螺旋型线圈电极(Tornado Coil Electrode)的使用，可高效生成稳定的高密度等离子，进而使高选择比、高精度、均一性好的刻蚀成为可能；
Ø 低偏压(－100V以下)，低损伤工艺；
Ø 通过控制试样台及反应器内壁的温度，可以创造稳定的刻蚀条件；
Ø 可使用氯气。
产品应用：
Ø GaN、GaAs等化合物半导体的刻蚀。
Ø 超LSI工艺中硅膜的各向异性刻蚀。
Ø 各种金属薄膜的刻蚀。
技术参数：
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反应室 |
铝制，Ø 440mm |
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样品台 |
SUS304制，Ø 208mm |
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ICP用RF电源 |
13.56MHz，1KW，水晶震动，自动匹配 |
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偏压RF电源 |
13.56MHz，300W，水晶震动，自动匹配 |
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Load-lock室 |
铝制，440×520mm |
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排气系统 |
反应室 |
涡轮分子泵+旋转泵 自动控压器 |
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LL室 |
旋转泵 |
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真空计 |
反应室 |
电离真空计（13～10－6Pa）
膜片式真空计（1.33～1×10－4Pa） |
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LL室 |
水晶真空计（105～10－2Pa） |
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气体导入系统 |
质量流量计（标准4系统） |
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尺寸 |
1000(W)×1375(D)×1711(H) mm |
可选配件：
Ø 气体管路的增设；
Ø 终点检测器；
Ø 泵油过滤器；
Ø 排气处理系统。
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