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离子束刻蚀系统 |
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离子束刻蚀反应室 |
14.5" SS 安装在左侧的立方体 |
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离子枪 |
12 cm DC 离子枪 (Veeco)，由直流电动机驱动SS快门的MPS 5001提供500 W 供电电源， 安装在反应室顶部。 |
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真空计 |
主反应室: WRG D NW 25, Baratron 型 626A 0.1 Torr |
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6” 工作台 |
直径6.5" ，OFHC 铜 + 不锈钢水冷与0-90度旋转工作台组合（差动泵） |
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晶片装载/卸载 |
手动 |
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Cu的刻蚀速率
@ 1000V/150ma |
20 nm/min |
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Si的刻蚀速率
@ 1000V/150ma |
30 nm/min |
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刻蚀均匀性 |
±5% （4“以上） |
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操作 |
全自动化，处方驱动，电脑控制及互锁,实验室观看软件。 |
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底面压力 |
6 x10-7 Torr (2 天)
5x 10-6 Torr < 20 分钟 |
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MFC |
Ar |
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压力调节 |
Turbo Speed |
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隔离阀 |
6” VAT 气动阀 |
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RIE刻蚀系统 |
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RIE反应室 |
直径13” 铝制反应室，安装在右侧。 |
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RF 工作台 |
8“，阳极氧化，暗区保护。 |
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工作台冷却 |
水冷，无通过冷却剂到地面的直接通路。 |
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气体分配 |
喷淋头 |
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真空计 |
1Torr Baratron，和 BOC Edwards 宽频真空计。 |
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底面压力 |
6 x10-7Torr (2 天)
~10-6 Torr < 20 分钟 |
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MFC |
CHF3, CF4,O2, SF6 |
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气线 |
SS 电镀抛光 |
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气线冲洗 |
加工结束用N2冲洗 |
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通气口 |
慢速通气口 |
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SI刻蚀速度 |
400 A/min |
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压力调节 |
Turbo Speed |
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装载/卸载 |
手动，由压缩空气举起顶部， 无弯曲气线。 |
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隔离阀 |
6” VAT 气动阀 |
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RF供电 |
600 W AE |
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自动调谐 |
COMDEL |
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操作 |
全自动化，处方驱动，电脑控制及互锁,实验室观看软件 |
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选项 |
ICP 源、静电卡盘、Load Lock |
