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13.56 MHz 空心阴极等离子源 HCD-L 300
产品简介： 
Ø 可以在超出电源的范围下工作
Ø 无模式转换
Ø 高等离子密度与射线密度，优良的轴向均匀性
Ø 兼容化学反应,没有辐射性气体.
Ø cw（连续波）和脉冲操作
Ø 低污染
Ø 可按比例缩放
产品应用：
Ø 等离子增强化学气相沉积(PE-CVD)
Ø 例如:SiOx,Si3N4, DLC,碳氟化合物薄膜等...
Ø 等离子聚合物
Ø 等离子清洁,等离子刻蚀
Ø 例如:DLC的清除
Ø 表面修饰
Ø 例如:自由控制表面能,黏附,湿度,上色度
Ø 易起化学反应和无化学反应的离子刻蚀
标准沉积参数：
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rf-power |
200-1000 W 底面 |
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频率 |
13.56MHz |
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压力范围 |
5-1000pa 依赖使用气体和加工方式 |
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误差 |
-100V（200W rf） |
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装配法兰 |
DN 250 ISO-KF或更大型号 |
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气体流速 |
CH气流 |
100-500sccm |
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He气流 |
500sccm |
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底面温度 |
60°C |
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沉积率 |
30-50 nm/min |
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折射率 |
2.2-2.4 |
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均匀性 |
在5”圆盘上, cw 沉积的高于±5% |
尺寸规格（mm）：
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